সম্পূর্ণ লেকচার দেখার জন্য অনুগ্রহ করে লগইন করুন।
রোধকত্ব পরিবাহী ও অন্তরকের মাঝামাঝি। Si, Ge ইত্যাদি। তাপমাত্রা বাড়লে রোধকত্ব কমে।
| পদার্থ | ব্যান্ড ফাঁক | উদাহরণ |
|---|---|---|
| পরিবাহী | 0 eV | Cu, Ag |
| সেমিকন্ডাক্টর | ≈ 1 eV | Si (1.1), Ge (0.67) |
| অন্তরক | > 3 eV | হীরা (5.5) |
৫ যোজী ভেজাল (As, P) মেশালে অতিরিক্ত ইলেকট্রন পাওযা যায়। সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক: ইলেকট্রন।
৩ যোজী ভেজাল (B, Al) মেশালে হোল সৃষ্টি হয়। সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক: হোল।
p ও n টাইপ একত্র করলে অবক্ষয় স্তর তৈরি হয়। বিভব প্রাচীর: Si ~0.7V, Ge ~0.3V।
তিন স্তরের (npn/pnp) সেমিকন্ডাক্টর যন্ত্র। বেসে ক্ষুদ্র প্রবাহ → কালেক্টরে বড় প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ।
| গেট | অপারেশন | বৈশিষ্ট্য |
|---|---|---|
| AND | Y=A·B | উভয় 1 হলে 1 |
| OR | Y=A+B | যেকোনো 1 হলে 1 |
| NOT | Y=A̅ | বিপরীত |
| NAND | Y=(A·B)̅ | সর্বজনীন গেট |
| NOR | Y=(A+B)̅ | সর্বজনীন গেট |
শুধু NAND বা NOR দিয়ে অন্য সকল গেট তৈরি সম্ভব।