গুরুত্বপূর্ণ সংজ্ঞাসমূহ
You need to be signed in to access these definitions.
যে পদার্থের রোধকত্ব পরিবাহী ও অন্তরকের মাঝামাঝি তাকে সেমিকন্ডাক্টর বলে। তাপমাত্রা বাড়লে রোধকত্ব কমে। উদাহরণ: সিলিকন (Si), জার্মেনিয়াম (Ge)।
কঠিন পদার্থে পরমাণুগুলো নিকটবর্তী থাকায় শক্তি স্তরগুলো প্রশস্ত হয়ে ব্যান্ড তৈরি করে। যোজনী ব্যান্ড (ইলেকট্রন পূর্ণ) ও পরিবহন ব্যান্ড (খালি) এবং এদের মধ্যে নিষিদ্ধ ব্যান্ড ফাঁক।
যোজনী ব্যান্ডে ইলেকট্রনের শূন্যস্থান যা ধনাত্মক চার্জ বাহকের মতো আচরণ করে। ইলেকট্রনের বিপরীত দিকে চলে।
বিশুদ্ধ সেমিকন্ডাক্টরে নিয়ন্ত্রিত পরিমাণে ভেজাল যোগ করে পরিবাহিতা বৃদ্ধি করার প্রক্রিয়া।
n-টাইপ: ৫ যোজী ভেজাল (As, P) → অতিরিক্ত ইলেকট্রন → ইলেকট্রন সংখ্যাগরিষ্ঠ
বাহক।
p-টাইপ: ৩ যোজী ভেজাল (B, Al) → হোল সৃষ্টি → হোল সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক।
p-টাইপ ও n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের সংযোগস্থল। অবক্ষয় স্তর: চার্জ বাহকহীন অঞ্চল। বিভব প্রাচীর: Si ~0.7V, Ge ~0.3V।
p-n জংশন বিশিষ্ট দুই প্রান্ত যন্ত্র যা শুধু একদিকে প্রবাহ পরিচালনা করে (রেকটিফায়ার হিসেবে কাজ করে)।
বিপরীত বায়াসে নির্দিষ্ট ব্রেকডাউন ভোল্টেজে স্থির ভোল্টেজ প্রদান করে। ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক হিসেবে ব্যবহৃত।
তিনটি সেমিকন্ডাক্টর স্তর বিশিষ্ট যন্ত্র (npn/pnp)। পরিবর্ধক ও সুইচ হিসেবে কাজ করে। প্রবাহ লাভ: β = I_C/I_B।
ডিজিটাল সার্কিটের মৌলিক একক যা বুলিয়ান যুক্তি সম্পাদন করে। মৌলিক গেট: AND, OR, NOT। সর্বজনীন গেট: NAND, NOR।